新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束

 

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基半B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

• 比導通電阻降低40%左右

• Qg降低了60%左右

• 開關損耗降低了約30%

• 降低Coss參數，更適合軟開關

• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風險

• 最大工作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過測試

• 優化柵氧工藝，提高可靠性

• 高可靠性鈍化工藝

• 優化終端環設計，降低高溫漏電流

• AEC-Q101

 

車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網電壓經由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢速充電。

基半第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件具有高頻高效的特點，在OBC上使用碳化硅功率器件對于提升OBC的效率和功率密度有較大幫助。

OBC車載充電機一般為兩級電路，前級為PFC（Power Factor Correction）級，即功率因數校正環節，實現電網交流電壓變為直流電壓，且保證輸入交流電流與輸入交流電壓同相位，根據實際設計功率需求的不同，可采用多級Boost電路并聯進行擴容；后級為DC/DC級，實現PFC級輸出直流電壓變為所需充電電壓，實現恒流/恒壓充電功能，并保證交流高壓側與直流高壓側的電氣絕緣，同樣地，根據實際設計功率需求的不同，可采用多級DC/DC電路并聯進行擴容。另外，比較常見的DC/DC級電路拓撲有移相全橋和LLC兩種。雙向OBC在先天上就可以實現比單向設計更高的效率。單向DC/DC模塊采用 PFC 二極管，而單向 LLC 諧振轉換器可通過二極管橋完成輸出整流。單相雙向 OBC 的典型框架 — 全橋整流器被低損耗基半第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R所取代，從而消除整流二極管正向壓降造成的損耗。這反過來可以降低功耗，從而簡化熱管理要求。基半第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R器件的綜合性能可減少所需元件的數量，從而降低電路元件成本以滿足支持各種功率器件功能的要求。

 

LLC，移相全橋等應用實現ZVS主要和Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時間或者開關兩端電壓能達到的最低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優勢，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，比起競品，LLC，移相全橋應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會更好.

 

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碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

 

基半第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，基半還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

 

基半第二代碳化硅MOSFET亮點

更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。

 

更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

 

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。

 

更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。

 

碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開關單極興器件，替代升級雙極性 IGBT  （絕緣柵雙極晶體管）開關。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過來也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線性變化，在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優勢。

與IGBT相比，SiC-MOSFET的開關損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時，可以使用簡單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進，并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛，從太陽能和風能逆變器和電機驅動到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。

 

隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統和智能電器等行業的發展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。這項創新擴展了幾乎每個行業的電機驅動應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關速度和低成本而歷來用于直流至交流電機驅動應用。最重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成為制造系統等高功率電機驅動應用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個顯著缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發生熱失控，導致器件發生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業，熱失控可能是一個重大的設計風險。

 

電力電子轉換器提高開關頻率一直是研發索所追求的方向，因為相關組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產生小型化優勢并節省成本。然而，所有器件的開關損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開關速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優勢。IGBT 經過多年的高度改進，使得實現性能顯著改進變得越來越具有挑戰性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統的 IGBT 設計中，降低傳導損耗通常會導致開關損耗增加。

 

作為應對這一設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好，可以實現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環境條件空間，例如汽車和工業應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。

 

由于 SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅動器系統相比，SiC MOSFET 的一個顯著優勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動功率開關器件的另一個優點是，由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關系，它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長度才會衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅動器相較于IGBT變頻伺服驅動器在高開關頻率下的巨大效率優越性.

 

盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會看到整個電機驅動器系統的價格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個應用系統之間進行復雜的設計和成本研究分析，但可能會提高效率并節省成本。基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著延長電動汽車續航里程并將充電時間縮短一半。

 

碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術代表了電力電子領域的根本性變革。SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價值時，需要考慮整個電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節省： 第一降低無源元件成本，無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開關頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風扇，從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價值時，考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價值主張的一個重要部分。