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進店逛逛核心(xin)半導體技術最后代氧(yang)化硅MOSFET系類爆款由于6英尺晶圓工作平(ping)臺發展(zhan)，比下一(yi)代商(shang)品(pin)在比導通(tong)功(gong)率電阻、按鈕(niu)開(kai)關材料耗費并且 可(ke)靠度性等地方(fang)行為最為優秀。
用層面：新再生(sheng)能(neng)源(yuan)汽車行業交流(liu)電(dian)(dian)動機操(cao)作器(qi)、車載多(duo)媒體24v電(dian)(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)、太陽能(neng)光伏直流(liu)電(dian)(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)、光儲一體式(shi)機、充值樁、UPS、PFC24v電(dian)(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)等鄰域。
護膚品其優勢
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| 更低比導通阻值 | 更低功率器件電開關耗用 | 更強可以信賴性 | 高些工做結溫 |
無定形碳硅MOSFET
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Generation |
Voltage |
RDS(on) |
TO-247-3 |
TO-247-4 |
TO-247PLUS-4 |
TO-263-7 |
SOT-227 |
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Gen 2 |
1200V |
160mΩ |
B2M160120H |
B2M160120Z |
B2M160120R |
圖紙公司申請 | ||
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80mΩ |
B2M080120H |
B2M080120Z |
B2M080120R |
樣本申請辦理 | ||||
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65mΩ |
B2M065120H |
B2M065120Z |
B2M065120R |
檢樣學生申請 | ||||
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40mΩ |
B2M040120H |
B2M040120Z |
B2M040120R |
產品的樣品申請辦理 | ||||
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35mΩ |
B2M035120YP |
樣板申批 | ||||||
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20mΩ |
*B2M020120H |
*B2M020120Z |
B2M020120Y |
*B2M020120R |
*B2M020120N |
試品辦理 | ||
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12mΩ |
B2M012120N |
打樣定制學生申請 | ||||||
| Gen 1 |
1200V | 160mΩ | B1M160120HC | 樣品管理公司申請 | ||||
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80mΩ |
B1M080120HC | B1M080120HK | 圖紙辦理 | |||||
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32mΩ |
B1M032120HC |
B1M032120HK |
樣本學生申請 |
Note1：帶 * 標記產品規劃中
Note2：第一代碳化硅MOSFET：不建議在新設計上使用
Note3：點擊藍色型號可下載規格書
混合碳化硅分立器件
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成品具體詳情
幾乎半導體行業混后氧化硅分立元器件將新式場最遲IGBT技藝和增(zeng)(zeng)碳硅(gui)(gui)肖特基(ji)(ji)肖特基(ji)(ji)二(er)級(ji)管(guan)技藝相綜合(he)(he)，為硬轉(zhuan)(zhuan)換開關(guan)按鈕拓補建造(zao)打了個(ge)個(ge)照顧(gu)質量和性價(jia)比高的(de)細(xi)則。該電(dian)子器(qi)件將以往的(de)硅(gui)(gui)基(ji)(ji)IGBT和增(zeng)(zeng)碳硅(gui)(gui)肖特基(ji)(ji)肖特基(ji)(ji)二(er)級(ji)管(guan)合(he)(he)封，在(zai)這部分技術應用中可以使(shi)(shi)用以往的(de)IGBT（硅(gui)(gui)基(ji)(ji)IGBT與硅(gui)(gui)基(ji)(ji)快找(zhao)回肖特基(ji)(ji)二(er)級(ji)管(guan)合(he)(he)封），使(shi)(shi)IGBT的(de)轉(zhuan)(zhuan)換開關(guan)按鈕損失(shi)幅(fu)寬上降低，不適于儲(chu)能(neng)技術（ESS）、車載式筆記本充家電(dian)（OBC）、不斷性供電(dian)（UPS）、光伏系統組串變頻器(qi)等(deng)鄰域(yu)。
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