晶體管分立器件測試儀/光耦測試儀BW-3022A

BWDT-3022A

納米線管電流參數值測試測試儀器

一、物品最基本相關信息

（1）品牌名字大全及作用

類產產品名號：BWDT-3022A 硫化鋅管直流電壓主要參數各種測量儀

產品的功能：滿足需要電子元元器元元器靜態數據直流電指標考試需要量

（2）軟件相關信息及規格型號場景

新產品數據

貨品(pin)型號規格：BWDT-3022A

物公(gong)司名稱稱：尖晶石管整流主要參數測試方法儀；

初中(zhong)物(wu)理規格(ge)

監控主機大小：深(shen) 305*寬 280*高 120(mm)

設(she)備主機克重：＜5Kg

監控主機色：白色的系

電氣開(kai)關(guan)情況 設(she)備主機功能消(xiao)耗：＜75W

區域必須：-20℃～60℃（補充(chong)）、5℃～50℃（事業）

相對(dui)于(yu)水分子(zi)含量：≯85%； 時尚負荷：86Kpa～106Kpa

保護具體條(tiao)件：無明顯灰層，耐腐蝕或容易引起易燃性氣(qi)物，導(dao)電(dian)塵土等

電(dian)力需求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作(zuo)任務時候：不斷；

二、成品介紹

       BWDT-3022A 型結晶體管(guan)(guan)(guan)(guan)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)電(dian)(dian)流(liu)因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)測評(ping)儀是專為測評(ping)電(dian)(dian)子器材(cai)元電(dian)(dian)子元件(jian)的整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)電(dian)(dian)流(liu)因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)而設(she)(she)汁。 可測評(ping)三級(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、MOS 場相互(hu)(hu)作用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、J 型場相互(hu)(hu)作用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)穩(wen)壓管(guan)(guan)(guan)(guan)、三端(duan)肖特(te)基整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)器、三端(duan) 電(dian)(dian)流(liu)交(jiao)流(liu)穩(wen)壓器和基準線器 TL431，其(qi)(qi)更好(hao)的中(zhong)文(wen)字幕頁(ye)面(mian)免(mian)費app軟件(jian)，簡單化了移動(dong)微信用(yong)戶對 BWDT-3022A 的操 作和程(cheng)序編程(cheng)。測評(ping)條(tiao)件(jian)和測評(ping)因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)次快鍵更改(gai)，兼得入 EEPROM 中(zhong)。不需額外添加其(qi)(qi)余(yu)其(qi)(qi)他 免(mian)費app軟件(jian)，無須實(shi)(shi)操培訓課,就可實(shi)(shi)操該分析儀器. BWDT-3022A 為三級(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、MOS 場相互(hu)(hu)作用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、J 型場相互(hu)(hu)作用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、整(zheng)(zheng)(zheng)流(liu)穩(wen)壓管(guan)(guan)(guan)(guan)等提高了 15 種最主(zhu) 要因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)的測評(ping)，并且因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)”達標率/不達標率”(OK/NO)測評(ping)，移動(dong)微信用(yong)戶在(zai)儀器上(shang)的控制(zhi)鍵很最易的把 測評(ping)條(tiao)件(jian)復制(zhi)粘貼進(jin)如，并將因素(su)(su)設(she)(she)置(zhi)放入 EEPROM 中(zhong)，有(you)利于(yu)以后便(bian)且迅(xun)猛的點(dian)開資源調(diao)用(yong)。

三、物品特色

※ 出(chu)現出(chu)現屏出(chu)現屏,中文名字操作的使用接(jie)面(mian),出(chu)現直觀性 簡(jian)潔個性,操作的使用管理方面(mian)簡(jian)潔

※ 大(da)內(nei)(nei)存容量 EEPROM 內(nei)(nei)存器,儲藏量可達到 2000 種設置主要參數數.

※ 全部都可編寫程序(xu)的 DUT 恒(heng)流源(yuan)和電阻值源(yuan)

※ 內置式繼電熱器分(fen)塊矩陣系(xi)統自動連(lian)結要求的測(ce)式方(fang)法電路板,交流電壓(ya)/功率源和測(ce)式方(fang)法回(hui)路開關(guan)

※ 進(jin)行高(gao)壓(ya)自測直流電識別率 1uA,自測線電壓(ya)高(gao)達 1500V

※ 從復”電路開(kai)關”式測試解決了(le)元(yuan)器件封裝發高燒和間接性的情(qing)況(kuang)

※ PC軟(ruan)件自(zi)標定(ding)特點

※ 的產(chan)品因(yin)為大范圍微凈化電腦處理器(qi),當(dang)我們(men)圈定了如何設置好(hao)的型(xing)(xing)號時,在速(su)騰(teng)自(zi)主檔軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗時,啟動軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗 啟閉,使軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗機(ji)始于下達功(gong)效檢(jian)則,自(zi)主軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗階段將(jiang)在 BWDT-3022A 的軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗座上(shang)檢(jian)則 DUT 出現(xian)短路,串入或誤接癥狀,如果挖(wa)掘,就(jiu)即刻停掉軟(ruan)(ruan)(ruan)件(jian)測(ce)驗。功(gong)效檢(jian)則注意基本(ben)原則是確保被測(ce)元器(qi)件(jian)封裝DUT 不因(yin)型(xing)(xing)號選錯(cuo)而測(ce)壞

※ DUT 的(de)職能的(de)檢(jian)測可以通(tong)過 LCD 現(xian)示出被測電子元器件/DUT 的(de)種(zhong)類(二極管,MOS 場管等),引(yin)腳 排順(P_XXX)檢(jian)驗方案(人工機(ji)械(xie)/定時)并仍然(ran)開展重復(fu)檢(jian)驗,現(xian)示檢(jian)驗然(ran)而是(shi)否是(shi)優秀率,并在線聽(ting)書光(guang) 報(bao)錯

※ 在(zai)測(ce)(ce)式(shi)整流場效應管時,BWDT-3022A 能自(zi)(zi)己式(shi)認別引腳功用,并自(zi)(zi)己式(shi)轉(zhuan)變成(cheng)矩陣的特征值轉(zhuan)換開關進(jin) 行參(can)數指標測(ce)(ce)式(shi).測(ce)(ce)式(shi)后體現(xian) 表示引腳功用號

※ 不同的(de)工(gong)作的(de)模(mo)式

1、自(zi)動方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)：自(zi)動加測否有 DUT 放于(yu)考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)座中,有則(ze)自(zi)動占據去反(fan)復(fu)反(fan)復(fu)考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)動態(tai),無則(ze)處 于(yu)去反(fan)復(fu)反(fan)復(fu)加測動態(tai)； 2、半(ban)定時方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)：（剛開(kai)使未考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)時屏風(feng)白屏屬(shu)日常想象）;當(dang)考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)旋(xuan)鈕按后自(zi)動對(dui)測 試(shi)座中的 DUT 對(dui)其進(jin)行加測考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa),長按旋(xuan)鈕不松(song)(song)手則(ze)占據去反(fan)復(fu)反(fan)復(fu)考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)動態(tai),松(song)(song)手旋(xuan)鈕則(ze)自(zi)動暫停考(kao)(kao)試(shi)方(fang)(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)(fa)

四、測試(shi)測試(shi)類形及參數(shu)指(zhi)標批注

1、BJT/二極管

(1)Vbe:Ib:表現測(ce)試三級管(guan) VBE 壓降時的搜索功率.

(2)Vce:Bv:表(biao)達出來軟件測試方法晶體管耐沖擊 BVceo 時填寫的軟件測試方法電(dian)壓降(jiang).

(3)Vce:Ir:寫出檢查三級管(guan)擊穿電壓 BVceo 時鍵入的(de)檢查感應(ying)電流.

(4)HEF:Ic:帶表測試圖片(pian)晶(jing)體管整流變大數倍(bei)的集電極(ji)片(pian)電壓電流.

(5)HEF:Vce:說明測評二極(ji)管(guan)直流變(bian)壓器變(bian)成因數(shu)的集電極(ji)材料電流值

(6)Vsat:Ib:說測試軟件三級管供(gong)大(da)于(yu)求導通壓(ya)降時放入基極(ji)的電(dian)壓(ya).

(7)Vsat:Ic:表現檢測三級(ji)管飽滿導通壓降時插入集工業的(de)電流量(liang).

(8)Vb:說道晶體管的進入壓(ya)降 VBE.

(9)VCEO:指出晶體(ti)管的耐壓試驗(BVceo).

(10)HEF:代表三級管(guan)的直流電壓變大公倍數(HEF).

(11)Vsat:透露(lu)二(er)極(ji)管的飽(bao)和導通壓(ya)降(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :表示法設定為定時區分(fen)考試.

(13)TestModel:Manual :提出軟件設置(zhi)為手(shou)動測量.

2、MOSFET/場(chang)定律管(guan)

(1)Vth:ID:寫出測(ce)試軟件場(chang)現象(xiang)管柵極開機電阻(Vgs(th))的填寫工作電流.

(2)Vds:Bv:說道檢查(cha)圖片(pian)(pian)場負(fu)效應管(guan)抗(kang)壓(ya)(BVdss)時(shi)的檢查(cha)圖片(pian)(pian)的電壓(ya).

(3)Vds:Ir:表達出來測量圖片場現象管(guan)擊穿電壓(BVdss)時的測量圖片感應電流.

(4)Rs:Vg:數字代表檢驗場作(zuo)用鋼管內阻(Rson)時加(jia)在柵極的(de)電壓降.

(5)Rs:ID:表明測試軟(ruan)件(jian)英(ying)文(wen)場滯后效(xiao)應(ying)管道(dao)阻(Rson)時的測試軟(ruan)件(jian)英(ying)文(wen)感應(ying)電流(liu).

(6)Vth:標識場效果管的初始化(hua)直流電壓(Vgs(th)).

(7)Bvds:標(biao)識(shi)場(chang)負效應管的耐(nai)沖擊(BVdss).

(8)Rs:數字代表場相(xiang)應管的導通阻(zu)值(Rdson)

(9)Igss:OG:表達測(ce)試測(ce)試場管鍵(jian)入端 G 極的(de)濾波電(dian)容漏電(dian)形態，該裝置數據庫為(wei)廷時(shi)(shi)時(shi)(shi)間間隔數，利(li) 用(yong)廷時(shi)(shi)控制在時(shi)(shi)間間隔后(hou) VGS 電(dian)阻值(zhi)的(de)維持量來測(ce)漏電(dian)形態。

(10)Test:T:表達(da)出來公測儀(yi)幾(ji)次(ci)后(hou)就中斷公測儀(yi)。可控制在到 9999 次(ci)。

3、JFTE/結型場負效(xiao)應管(guan)

(1)Ids:Vd 代表考試結型場相互作用管(guan)漏(lou)極飽和點電流值(zhi)(Idss)加在 D 極和 S 極的(de)交流電壓(Vds)

(2)Vds:Bv 顯示試驗(yan)結型(xing)場現象(xiang)管(guan)耐(nai)沖擊(BVdss)時的(de)試驗(yan)電壓降.

(3)Vr:Ir 標識測試(shi)圖片(pian)(pian)英文結型場(chang)作用(yong)管抗壓(ya)(BVdss)時的測試(shi)圖片(pian)(pian)英文感(gan)應電流.

(4)Voff:Vd 表述測式結型場負效(xiao)應管阻絕端電壓降(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的端電壓降(Vds).

(5)Voff:Id 提出測試(shi)測試(shi)結型場(chang)相應(ying)管阻擋工作電(dian)壓(Vgs(off))加在 D 和(he) S 的感應(ying)電(dian)流.

(6)Is:提出(chu)結型(xing)場效果(guo)管的(de)漏源飽和狀(zhuang)態電(dian)流大小(Idss),在 GS=0V 的(de)條件下(xia)得(de)出(chu).

(7)Bvds:結型場效(xiao)用管在關斷時的(de)穿透電壓(ya)降.

(8)Vof:結型場效果管(guan)的阻(zu)擋端電壓(VGS(off)).

(9)gm:結型場相互作用管的跨導(dao)指數,即導(dao)通內(nei)電阻的倒數.

4、三端穩壓 IC

(1)Vo:Vi 表達考試三端穩壓時的發送(song)考試電(dian)阻.

(2)Vo:Vi 標(biao)識測試(shi)英文三端穩壓時加在模擬輸(shu)出低端根據直流電

(3)Vo:寫出(chu)三端穩壓的輸出(chu)精度線電壓數.

5、基(ji)準價 IC

(1)Vz:Iz 認(ren)為檢(jian)(jian)驗(yan)基點 IC 時的顯示檢(jian)(jian)驗(yan)直流(liu)電壓.

(2)Vz:寫出基本準則 IC 的安(an)全穩定(ding)交(jiao)流電壓數

6、整流二極,三端肖特基(ji)整流器

(1)VF:IF 代(dai)表(biao)測(ce)(ce)量軟件(jian)三端肖(xiao)特(te)單(dan)向壓降(jiang) VF 的(de)測(ce)(ce)量軟件(jian)功率.

(2)Vr:Bv 說道測試(shi)(shi)測試(shi)(shi)圖片三端(duan)肖特反向的方式給回擊穿電(dian)壓電(dian)流(VRRM)的測試(shi)(shi)測試(shi)(shi)圖片電(dian)壓電(dian)流.

(3)Ir:Fu 透露測(ce)試時反向的方式給回漏電流技(ji)術指(zhi)標設置可不可以(yi)要測(ce)，設低于 0 為取消本次技(ji)術指(zhi)標設置。

(4)Vr:Ir 代表檢(jian)測(ce)三端(duan)肖特交(jiao)叉耐壓(ya)試驗(VRRM)的檢(jian)測(ce)電流量(liang).

(5)VF1:覺得(de)測(ce)驗(yan)三端(duan)肖特單向(xiang)壓降 1. (5)VF2:覺得(de)測(ce)驗(yan)三端(duan)肖特單向(xiang)壓降

                                         BW-3022A考試枝術評價指標：

1、 整流二極(ji)管,三端(duan)肖(xiao)特(te)基:

耐壓(VRR)測試指標(biao)

導通(tong)正向壓降(VF)

2 、N型三極(ji)管(guan)

輸(shu)入正向壓降(jiang)(Vbe)

耐(nai)壓(Bvceo)測試指(zhi)標

直流放大倍數(HEF)

的輸出趨于(yu)穩(wen)定導通壓降(Vsat)

3、P型(xing)三極管

輸(shu)人(ren)正面壓降(jiang)(Vbe)

耐(nai)壓(Bvceo)測(ce)試指標

直流放(fang)大倍數(shu)(HEF)

4、N,P型MOS場效應管

輸入(ru)啟動時(shi)電流電壓(VGS(th))

耐壓(Bvds)測(ce)試指(zhi)標

導(dao)通內阻(Rson)

5、三端穩(wen)壓IC

輸出精(jing)度電(dian)流電(dian)壓(ya)(Vo)

6、基(ji)準IC 431

的輸出的電壓(Vo)

7、結型場負效應管

漏極過飽和交流電(dian)(Idss)

耐(nai)壓(Bvds)測試指標

夾斷(duan)電壓(Vgs(off))

共源正向(xiang)跨導(gm)

8、正向IGBT調光硅

導通驅散電壓(IGT)

導(dao)通觸發電壓(ya)(VGT)

耐壓試(shi)驗(yan)(VDRM/VRRM)

通(tong)態壓降(VTM)

保持電流(liu)(IH)