使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電能質量裝置SVG及APF！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT電能質量裝置SVG及APF，實現更高的電能質量裝置SVG及APF補償無功與治理諧波質量！更小的電能質量SVG及APF裝置體積重量！更低的電能質量SVG及APF裝置成本！
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類電能質量裝置SVG及APF，比如加強型靜止無功發生器 (SVG+)，有源電力濾波器 (APF)等。
無功發生器SVG電網無功補償：響應電網調度AVC指令，提供無功支撐；提高功率因數：監測考核點功率因數，通過容性無功功率與感性無功功率相互抵消的原理，實現無功補償，提高功率因數；穩定電網電壓：監測電網電壓，容性輸出抬高系統電壓和感性輸出拉低系統電壓等方式，實現穩定電網電壓；諧波治理：監測負載電流，提取負載電流的諧波成分，控制SVG輸出諧波電流大小相等、方向相反的諧波電流注入到電網中，實現諧波治理；三相不平衡補償：監測負載電流，利用對稱分量法將負荷電流分解成正序分量和負序分量，控制SVG發出負序電流大小相等方向相反的電流注入電網，實現三相不平衡補償；電壓波動與閃變治理：監測電網電壓波動，快速響應無功支撐，實現電壓波動與閃變治理。
有源電力濾波器APF通過采集電流諧波，對網側諧波進行傅立葉分解，確定各次的諧波分量情況，以最快速度發出電流命令，并通過功率執行器件產生與諧波源諧波電流方向相反幅值相等的補償諧波電流，并注入系統，達到抵消非線性負荷所產生的諧波電流。不但可隔離和消除來自負載側的諧波電流，進而消除因諧波電流耦合在線路上的諧波電壓，減少電流和電壓諧波干擾帶來的危害。此外，系統還可針對無功和三相不平衡發出相應的工頻電流，與系統中存在的無功電流和不平衡電流進行疊加，消除系統的無功和不平衡電流，達到綜合電能質量治理的目的。
傳統的靜止無功發生器(SVG)有源電力濾波器 (APF)通常采用IGBT作為功率器件，其IGBT開關損耗大、IGBT開關頻率較低，輸出濾波器和散熱器體積較大，限制了其功率密度和效率的提高。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的開關頻率可達IGBT的兩倍以上，且能承受更高的結溫，使SVG及APF器件的效率和功率密度可進一步提高。從SVG及APF拓撲、開關頻率、功率器件損耗、器件成本、濾波器、散熱器等角度對SVG及APF進行優化設計，基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊的SVG及APF，采用兩電平交錯式作為功率拓撲，采用單電感濾波器作為濾波器，其等效開關頻率可達100 kHz。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管及模塊為常規IGBT電能質量裝置的一半左右，功率密度為1.35kVar/L，是常規常規IGBT電能質量裝置的兩倍左右；樣機峰值效率高達99.2%，滿載效率最高可達99%。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。
為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大功率工業電源，工商業儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅動輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領域與客戶戰略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業發展！
傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。在新型能源體系的發展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲、車”的協同發展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創新為導向，將不斷創新技術和產品，堅定不移與產業和合作伙伴攜手，積極參與數字能源產業生態，為客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創新型車規級互聯產品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為導向的各類功率半導體器件：車規碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產氮化鎵GaN，隔離驅動IC等產品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業，新能源汽車電控系統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲，智能組串式儲能等行業應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現零碳發電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發展目標奮斗，從而為實現一個零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
