國產基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET在三相熱泵商用空調壓縮機驅動中的應用-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
適用于三相熱泵商用空調壓縮機驅動的國產基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
對于通用應用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關損耗降低高達 70% 至 80%，具體取決于轉換器和電壓和電流水平。IGBT 相關的較高損耗可能成為一個重要的考慮因素。熱管理會增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關速度會增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經成為各類新的電力電子設計中的主流趨勢。SiC MOSFET 更耐熱失控。碳化硅導熱性更強，可實現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。
Si IGBT 的一個顯著缺點是它們極易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發生熱失控，導致器件發生故障并最終失效。在高電流、高電壓和高工作條件很常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業，熱失控可能是一個重大的設計風險。SiC MOSFET 更適合溫度較高的環境條件空間，例如汽車和工業應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小整體系統尺寸并降低系統成本。由于 SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，其中高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。
SiC 功率器件的卓越材料特性使這些器件能夠以更快的開關速度、更低的開關損耗和更薄的有源區運行，從而實現效率更高、開關頻率更高、更節省空間的設計。因此，SiC MOSFET 正成為電源轉換應用中優于傳統硅（IGBT,MOSFET）的首選。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。
為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC™基本公司研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。
為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
熱泵（英語：heat pump）是將熱量從較低溫下的物質或空間傳遞到更高溫度下的另一種物質或空間的裝置，也就是使熱能沿自發熱傳遞的相反方向移動。熱泵為完成將能量從熱源傳遞到散熱器這一非自發過程，須要來自外部的能量。常見的應用是暖氣、冷氣和冷凍機。但術語“熱泵”更為籠統，適用于用于空間加熱或空間冷卻的許多暖通空調設備。
熱泵最常見的設計包括四個主要部件–冷凝器，膨脹閥，蒸發器和壓縮機。循環通過這些組件的傳熱介質稱為制冷劑。
熱泵利用低沸點液體經過節流閥減壓之后蒸發時，從較低溫處吸熱，然后經壓縮機將蒸汽壓縮，使溫度升高，在經過冷凝器時放出吸收的熱量而液化后，再回到節流閥處。如此循環工作能不斷地把熱量從溫度較低的地方轉移給溫度較高（需要熱量）的地方。
熱泵比簡單的電阻加熱器具有更高的能源效率。
熱泵按照交流輸入電源可以分為單相熱泵和三相熱泵，其輸出電功率可覆蓋3 kW到幾十千瓦。熱泵的室外機，主要由三部分構成，包含PFC、壓縮機逆變器和風機逆變器。無論是單相熱泵，還是三相熱泵，都包含了PFC這一功率環節。對于用電設備產生的諧波電流，全球各國以及地區都制定了明確的法規，熱泵產品只有滿足了諧波電流法規要求，才能在所在國家和地區進行銷售，PFC也就是功率因素校正， 則可以有效改善用電設備的輸入諧波電流并提高其功率因素。
根據用電設備的輸入相電流大小，可以把用電設備分為兩大類，適用不同的法規進行諧波電流的市場準入管理。如圖3，以輸入相電流有效值等于16A為界，當用電設備的輸入相電流有效值小于或者等于16A時，適用IEC 61000-3-2，對應的國標就是GB17625.1，這也是廣大工程師最熟悉的；當用電設備的輸入相電流有效值大于16A時，則適用IEC61000-3-12。這兩個主要的諧波電流法規最近有更新 ， 但內容主體 基本不變 。 最 新 的 IEC61000-3-2:熱泵的結構以及諧波電流法規2:2019+A1-2021，將于2024年4月9日起執行；國標GB17625.1-2022，將于2024年7月1日起執行。
對于輸入相電流有效值小于或者等于16A的三相熱泵產品，目前市場上被動式PFC和主動式APFC的方案并存，被動式PFC方案，可以選用25A的PIM模塊，在整流橋之前加入三相交流電抗器，這種方式簡單易操作，當然，缺點也很明顯，為了滿足諧波電流限值的要求，在單個交流電抗器上的壓降可達到輸入相電壓的2%-4%，所以，交流電抗器感值大，效率低，個頭重，不能安裝在PCB板上，只能安裝到機殼內壁，然后通過導線連接到PCB板上，導致生產線裝配成本也上去了。
只有提高開關頻率，才能有效減小磁性器件的體積，所以既能滿足諧波電流法規，又高效，還能把電感或者電抗器安裝到PCB板上的有源PFC方案就成了最優選擇， 當輸入相電流有效值小于等于16A時（模塊方案），三相橋的碳化硅MOSFET功率模塊的APFC方案，均可滿足諧波電流限值和板載PFC電感的要求。
對于熱泵應用中的輸入諧波電流，被動式PFC的優點是簡單易操作，缺點也很明顯，更換輸入電壓或者功率后，電抗器就得重新去試湊匹配；主動式APFC則沒有這個煩惱，主要的難度在于軟件控制算法層面 。 隨著諧波電流法規的趨嚴以及終端客戶的更高要求 ， 采用三相碳化硅MOSFET功率器件解決方案的主動式APFC是一個必然趨勢。
負載例如熱泵系統可以是無功負載，也就是，該負載可具有凈無功分量，該凈無功分量不是運行負載所必須的有功功率的一部分。由供電設施所提供的功率可以是實際提供的電流和實際提供的電壓的乘積，或伏安。由負載所消耗的測量功率可以是等于有功功率的瓦特計測量值。功率因數可以通過有功功率除以伏安功率得到。
壓縮機的功率因數可部分地取決于壓縮機的驅動系統的類型。例如，由感應馬達驅動的固定速度壓縮機可具有0.95的功率因數。由變頻器驅動的可變速壓縮機可具有0.6的功率因數。功率因數問題可由功率因數校正(PFC)系統解決，該PFC系統可以是被動的或主動的。被動PFC系統的示例可以是用于補償電感負載的電容器組。主動PFC系統的示例可以是改變載荷的無功分量以實現無功負載的更準確的匹配的系統。
壓縮機系統的額定功耗可部分地通過在熱泵系統的低負載條件下以瓦特為單位測量功率來確定。因此，熱泵系統的額定功耗可基于功率因數校正對從供電設施獲取的電流影響很小的條件。
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷國產車規級碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，基本™全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專業分銷基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業發展！
汽車級全碳化硅功率模塊是基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車主逆變器應用需求而研發推出的系列MOSFET功率模塊產品，包括Pcore™6汽車級HPD模塊、Pcore™2汽車級DCM模塊、Pcore™1汽車級TPAK模塊、Pcore™2汽車級ED3模塊等，采用銀燒結技術等基本™（BASiC Semiconductor）最新的碳化硅 MOSFET 設計生產工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統逆變器的轉換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續航里程。主要產品規格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道碳化硅(SiC)MOSFET專用隔離驅動芯片BTD25350，原方帶死區時間設置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅動而優化。
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場景：
充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷的基本™第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M080120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M030120Z，B2M030120H，BM030120R，B2M650170H， B2M650170R，B2M009120Y。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M032120Y國產替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y國產替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M065120H國產代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
B2M160120Z國產代替英飛凌AIMZHN120R160M1T，AIMZH120R160M1T
B2M080120Z國產代替英飛凌AIMZHN120R080M1T，AIMZH120R080M1T
B2M080120R國產代替英飛凌IMBG120R078M2H
B2M040120Z國產替代英飛凌AIMZHN120R040M1T，AIMZH120R040M1T
B2M040120R國產替代英飛凌IMBG120R040M2H
B2M018120R國產替代英飛凌IMBG120R022M2H
B2M018120Z國產替代英飛凌AIMZH120R020M1T，AIMZH120R020M1T
B2M065120Z國產替代英飛凌AIMZHN120R060M1T，AIMZH120R060M1T
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開關單極型器件，替代升級雙極型 IGBT （絕緣柵雙極晶體管）開關。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過來也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線性變化，在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優勢。
與IGBT相比，SiC-MOSFET的開關損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時，可以使用簡單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進，并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛，從太陽能和風能逆變器和電機驅動到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。
隨著自動化制造、電動汽車、先進建筑系統和智能電器等行業的發展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。這項創新擴展了幾乎每個行業的電機驅動應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關速度和低成本而歷來用于直流至交流電機驅動應用。最重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成為制造系統等高功率電機驅動應用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個顯著缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時，就會發生熱失控，導致器件發生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機驅動應用中，例如電動汽車或制造業，熱失控可能是一個重大的設計風險。
電力電子轉換器提高開關頻率一直是研發索所追求的方向，因為相關組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產生小型化優勢并節省成本。然而，所有器件的開關損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開關速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優勢。IGBT 經過多年的高度改進，使得實現性能顯著改進變得越來越具有挑戰性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統的 IGBT 設計中，降低傳導損耗通常會導致開關損耗增加。
作為應對這一設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好，可以實現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環境條件空間，例如汽車和工業應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。
由于 SiC MOSFET 的工作開關頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開關頻率在自動化制造中至關重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅動器系統相比，SiC MOSFET 的一個顯著優勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動功率開關器件的另一個優點是，由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關系，它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長度才會衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅動器相較于IGBT變頻伺服驅動器在高開關頻率下的巨大效率優越性.
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會看到整個電機驅動器系統的價格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個應用系統之間進行復雜的設計和成本研究分析，但可能會提高效率并節省成本。基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著延長電動汽車續航里程并將充電時間縮短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術代表了電力電子領域的根本性變革。SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價值時，需要考慮整個電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節省： 第一降低無源元件成本，無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開關頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風扇，從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價值時，考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價值主張的一個重要部分。
